本發明提供了一種太陽能電池硅片生產過程中的低壓擴散工藝,屬于太陽能電池生產技術領域。它解決了現有的太陽能電池硅片生產過程中硅片表面擴散不均勻等技術問題。本低壓擴散工藝包括以下步驟:a、抽真空:將硅片放置到擴散爐的反應腔室,使用真空泵將擴散爐的反應腔室抽成50?mbar~150mbar的真空狀態;b、充氣體:將少量氮氣與三氯氧磷沖入擴散爐的反應腔室內;c、低壓擴散:保持反應腔室內壓力不變,低壓擴散時間為700S~900S;d、檢測:檢測低壓擴散結果,使硅片表面方塊電阻80Ω~120Ω/口、均勻性要求±3%以內。本發明中的工藝具有擴散均勻性好、化學品和特氣損耗大幅減少、維護周期長等優點。
聲明:
“太陽能電池硅片生產過程中的低壓擴散工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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