本發明涉及一種砷化鎵晶片,所述晶片表面的硫含量低于2×1015原子/cm3,優選低于5×1014原子/cm3,所述晶片表面的硫含量通過本發明說明書實施例中第III部分定義的檢測方法進行測定。本發明還涉及所述砷化鎵晶片的制備方法,包括以下步驟:1)使用酸或堿溶液對晶片表面進行浸泡清洗;2)對晶片進行化學機械拋光;3)拋光后,使用氧化劑對晶片表面進行氧化;4)對晶片經過堿溶液處理,隨后用去離子水清洗;5)對晶片經過SC?1溶液處理,隨后用去離子水清洗;6)干燥所得晶片;7)再次使用氧化劑對晶片表面進行處理;8)氮氣或真空包裝。
聲明:
“砷化鎵晶片及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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