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    多孔GaN的制備方法

    1046   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:57:10
    本發明涉及一種多孔GaN材料的制備方法,該方法包括以下步驟:步驟S1、將K2S2O8溶解于去離子水或純凈水中,配制濃度為0.0001mol/L-2mol/L的K2S2O8溶液;步驟S2、在K2S2O8溶液中加入NaOH或KOH,配制pH值大于7的混合溶液;步驟S3、將GaN材料置于混合溶液中,用紫外光源照射GaN材料,獲得多孔GaN材料。本發明利用極其廉價的光化學技術在GaN材料表面上產生納米級孔洞,通過鎖相放大器等微小電信號測試設備可以將GaN材料電阻率的微小變化檢測出來,從而發展高靈敏度的氣敏傳感器。
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