• <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>
  • 合肥金星智控科技股份有限公司
    宣傳

    位置:中冶有色 >

    有色技術頻道 >

    > 化學分析技術

    > SiC/SiO2界面結構、SiCMOS器件及其制備方法

    SiC/SiO2界面結構、SiCMOS器件及其制備方法

    1029   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:57:11
    本申請公開了一種SiC/SiO2界面結構、SiC MOS器件及其制備方法,涉及金屬氧化物半導體場效應管的制備領域。本申請的可以有效抵抗漏電流的SiC/SiO2界面結構,是通過在SiC上生長O終端的SiO2薄膜,得到具有較大導帶臺階的界面結構。經計算分析,無缺陷的O終端界面結構是可以有效抵抗漏電流的高質量界面。本申請的SiC/SiO2界面結構應用于SiC金屬氧化物半導體場效應管MOSFET器件,可以提高器件性能。本申請的SiC/SiO2界面結構可以采用化學氣相沉積技術結合硅氧化工藝進行制備,結構和操作工藝簡單,易于控制。
    登錄解鎖全文
    聲明:
    “SiC/SiO2界面結構、SiCMOS器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
    我是此專利(論文)的發明人(作者)
    分享 0
             
    舉報 0
    收藏 0
    反對 0
    點贊 0
    標簽:
    化學分析
    全國熱門有色金屬技術推薦
    展開更多 +

     

    中冶有色技術平臺

    最新更新技術

    報名參會
    更多+

    報告下載

    赤泥綜合利用研究報告2025
    推廣

    熱門技術
    更多+

    衡水宏運壓濾機有限公司
    宣傳
    環磨科技控股(集團)有限公司
    宣傳

    發布

    在線客服

    公眾號

    電話

    頂部
    咨詢電話:
    010-88793500-807
    專利人/作者信息登記
    久爱国产精品一区免费视频_无码国模国产在线观看_久久久久精品国产亚洲A_国产综合精品无码
  • <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>