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    P型透明導電氧化物CuAlO2薄膜的制備方法

    1122   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:01:30
    本發明涉及一種P型透明導電氧化物CuAlO2薄膜的制備方法。該方法的步驟為:將化學純的Cu2O粉和分析純的Al(OH)3粉經500~550℃預燒1~1.5h,在1050~1150℃保溫8~12h,生成純相的CuAlO2粉末,將CuAlO2粉末壓制成型后,經1050~1150℃燒結4~10h,制成CuAlO2陶瓷靶材;采用上述制成的CuAlO2陶瓷靶材,利用磁控濺射方法,以Si(100)單晶或石英為襯底,襯底溫度300~600℃,以高純氬氣與氧氣組成的混合氣體為工作氣體,工作氣壓0.8~1.0Pa,氧分壓10~40%,濺射功率100~200W,薄膜沉積后,于900~1100℃經氮氣氣氛保護,在管式爐內退火2~5h,制成P型CuAlO2薄膜。其厚度為100~500nm。本發明方法薄膜沉積面積大,生產成本低,且適于工業化生產。
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