本發明涉及硅片清洗技術領域,具體涉及一種硅片的物理清洗方法。首先分析硅片基底所帶的電荷;然后將硅片放入超聲波清洗設備,加入清洗液,通過超聲波震蕩清洗硅片。采用超聲波物理方法清洗硅片,利用電荷的相互作用去除硅片表面的污染物,避免了使用氫氧化鈉,氫氧化鉀等腐蝕性化學清洗方法對硅片的損傷。本發明的清洗劑中加入的表面活性劑和分散劑可使硅片表面存在的固體及液體顆粒有效溶解在清洗液中,同時也能防止顆粒的沉降和凝聚,形成安定的懸浮液,因此,在清洗的過程中,加入帶有表面活性劑和分散劑的清洗液,配合超聲波進行清洗能夠有效的清洗硅片表面的污染物。
聲明:
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