本發明涉及具有良好生物兼容性的鍺基半導體的拉曼散射增強基底和制備方法,以及用這種基底進行溶液中羅丹明6G分子的檢測。本發明用化學刻蝕的方法,在單晶硅基片表面刻蝕出垂直定向站立排列的硅納米線陣列,并除去在刻蝕過程中作為副產物生成在硅納米線陣列頂端的絮狀銀枝杈;然后用熱蒸發的方法在硅納米線陣列上制備鍺納米管陣列;最后在鍺納米管表面修飾上大量的Ge-H鍵。所述的基底中不含有貴金屬銀;所述的鍺納米管表面修飾有大量的Ge-H鍵。本發明首次成功地實現了不使用任何貴金屬而僅用半導體鍺材料制備出了具有良好生物兼容性的鍺基半導體的拉曼散射增強基底。
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我是此專利(論文)的發明人(作者)