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    基于金屬氧化物半導體薄膜材料的H2S氣體傳感器及其制備方法

    926   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:04:30
    一種基于金屬氧化物半導體薄膜納米材料的H2S氣體傳感器及其制備方法,屬于半導體氧化物氣體傳感器技術領域。首先是在氧化鋁陶瓷襯底的金叉指電極上制備種子層,在種子層的基礎上采用電化學沉積的方法,將金屬材料沉積在電極上,熱退火后得到金屬氧化物半導體薄膜材料。以制備的NiO/CuO薄膜納米材料為例,對低濃度的H2S氣體表現出較高的響應,在檢測H2S含量方面有很好的應用前景。該制備方法的條件溫和,合成方法簡單,成本低廉,實驗周期短,并且具有很好的重現性,因此具有重要的應用價值。
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