本發明提供了一種高熒光發射的POSS取代苝二酰亞胺晶體及其制備方法。所述晶體因POSS取代基結構和晶格的阻隔,阻礙了苝核的堆積,分子間π-π相互作用是非連續的,阻止了熒光猝滅從而具備高熒光發射性。所述制備方法是以相應的非晶態固體為原料,通過結晶制得。本發明所述高熒光發射的POSS取代苝二酰亞胺晶體為非晶固體的熒光量子產率的2-3倍,并且在200-600nm紫外可見光區域具有強而寬的吸收,在600-680nm左右具有強烈的熒光發射性能。其作為熒光功能有機晶體材料在有機發光二極管、光泵浦激光、場效應晶體管、化學傳感器、微電子領域、生物分子熒光標記、檢測、篩選和富集等生物醫用領域具有廣泛的應用價值。
聲明:
“高熒光發射的POSS取代苝二酰亞胺晶體及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)