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    高度取向納米羥基磷灰石晶體陣列的制備方法

    1170   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:11:50
    本發明涉及一種高度取向納米羥基磷灰石晶體陣列的制備方法,其步驟如下:(1)將經過清洗干凈的基底材料浸入到熱堿溶液中,熱堿溶液處理一定時間后,取出基體材料并用去離子水清洗,烘干;(2)將烘干的基底材料浸入到鈣鹽溶液中,反應一定時間后取出,不經清洗直接烘干;(3)將再次烘干的基底材料垂直浸入到磷酸鹽溶液中,在一定pH下,一定溫度下保溫一定時間,將基底材料取出用去離子水清洗,烘干,得到高度取向的納米羥基磷灰石晶體陣列。本發明通過改變化學條件實現了納米羥基磷灰石晶體陣列的形成及其結構控制,工藝穩定,成本低廉,能實現大規模生產。本發明在材料表面改性、生物信息檢測及疾病診斷等領域具有廣泛的應用價值。
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    “高度取向納米羥基磷灰石晶體陣列的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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