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    高Q高FoM的金屬介質輔助GMR的折射率傳感芯片

    791   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:11:51
    本發明公開了一種高Q高FoM的金屬介質輔助GMR的折射率傳感芯片,所述的折射率傳感芯片分為四層結構,第一層為底層的透明介質基底,第二層為金屬薄膜層,第三層介質光柵層,第四層為高折射率介質光柵層;其中,介質光柵層和高折射率介質光柵層為周期性光柵陣列,光柵周期同為p,光柵占空比同為q,厚度分別為t1和t2,其中t1<t2;通過調整芯片的結構參數,包括金屬薄膜層厚度和高折射率介質光柵層的光柵參數及厚度,在Q值較低的GMR(Guided?Mode Resonance)共振峰的基礎上,衍生出一個高Q的共振峰;該高Q共振峰處伴隨著相位突變,高Q共振峰具備偏振敏感性?;诒景l明可實現高靈敏的折射率傳感,對疾病診斷、藥物研發、生物化學檢測等領域具有發展性的意義。
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    “高Q高FoM的金屬介質輔助GMR的折射率傳感芯片” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
    我是此專利(論文)的發明人(作者)
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