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淺溝槽隔離臺階高度的控制方法

922 編輯：管理員來源：中冶有色網

2023-03-19 08:13:37

一種淺溝槽隔離臺階高度的控制方法,包括:提供同批次的半導體晶圓,所述半導體晶圓上包括待化學機械研磨的淺溝槽隔離區域以及有源區,確定目標臺階高度的值;對上述半導體晶圓進行化學機械研磨;至少選取一片半導體晶圓,測量其實際臺階高度值;獲取臺階高度修正值;建立臺階高度修正值與酸洗時間的對應關系;根據上述對應關系,調整該批次半導體晶圓的酸洗時間,并對剩余半導體晶圓進行酸洗,使得淺溝槽隔離區域中,實際臺階高度與目標臺階高度相符。本發明利用酸洗過程中,酸劑的選擇性刻蝕作用,調整酸洗的時間修正臺階高度,無需變更化學機械研磨的參數以及增加額外的工序,滿足臺階高度的一致性要求。

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