本發明公開了一類含二唑吲哚并吡咯的稠環化合物及其制備方法與應用,所述稠環化合物結構式如式1,式中,X相同或不同地選自CR1或N;Y相同或不同地選自:C(R1)2、NR1、BR1、C(R1)2O、Si(R1)2、Ge(R1)2、R1C=CR1、C(R1)2C(R1)2、C=O、C=NR1、C(=O)O、C(=O)NR1、P(=O)(R1)、P(=S)(R1)、O、S、Se、Te、S(=O)和SO2中的至少一種;*為R1或Ar;Ar為稠環基團。該類稠環化合物具有較強的化學穩定性及化學修飾性,具有較好的光探測性能;所述稠環化合物含二唑單元,吸電性較好,是有利于實現空氣穩定的n型半導體材料。
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