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以單壁碳納米管為電極的橫向相變存儲器的制備方法

995 編輯：管理員來源：中冶有色網

2023-03-19 08:14:35

一種以單壁碳納米管為電極的橫向相變存儲器的制備方法,其首先清洗半導體襯底以去除其表面的污物,然后采用化學氣相沉積法在襯底表面沉積介質層,再采用化學氣相沉積法在介質層上制備橫向的單壁碳納米管陣列,接著采用聚焦離子束沉積法沉積用于光刻的多個對準標記及與各碳納米管相接觸的接觸電極,接著采用電子束光刻結合反應離子刻蝕法刻蝕碳納米管以形成電極對陣列,并根據所形成的各對準標記,采用磁控濺射法及電子光刻技術在各電極對之間被刻蝕掉的碳納米管處沉積相變材料,接著再采用離子束沉積法及電子束光刻法在已沉積相變材料的結構上沉積絕熱保護區,以及制備各測試電極,由此形成低功耗的橫向相變存儲器。

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