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    生長在Si襯底上的GaN薄膜及其制備方法和應用

    1157   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:14:36
    本發明公開了一種生長在Si襯底上的GaN薄膜,其包括由下至上依次排列的Si襯底、AlN緩沖層、GaN形核層、GaN外延層;所述Si襯底的晶體取向為111面偏100方向0.5-1°;通過襯底以及其晶向的選取、采用脈沖激光沉積工藝生長AlN緩沖層、采用金屬有機化學氣相沉積工藝生長GaN形核層、采用金屬有機化學氣相沉積工藝生長GaN外延層等步驟制備而成。本發明的GaN薄膜應用于LED器件、光電探測器等器件中,具有密度低、結晶質量好、成本低等優點。
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