本發明公開了一種納米級超微電極及超微傳感器的制造方法。本發明采用離子束刻蝕技術,制得的電極尺寸的最小直徑可達30nm。和已有的制備技術相比,用本法制備的納米電極具有尺寸可控。由于采用離子束將電極表面的原子一個個打掉,電極的表面干凈、光滑,具有分子級的平整度;電極機械強度高,可用于單個細胞內的測試。提出用電聚合絕緣化方法,制得了納米級盤電極。電極的電化學性能優良。提出在真空情況下封合支撐體與電極材料的方法,避免了電極的污染。首次在納米電極上進行化學修飾,制備成功了納米級超微pH傳感器。
聲明:
“納米級超微電極及超微傳感器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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