本發明一種半導體納米晶復合硫系玻璃陶瓷材料及其制備方法,特點是其摩爾組成按化學式表示為:(1-x-y)GeS2·xSb2S3·yM2S3,其中x=0~0.4,y=0.10~0.25,M為Ga或In,制備方法包括按摩爾組成化學式選取Ge、Sb、M和S所占當量比例并加熱混合的步驟;基礎玻璃制備的步驟;然后測試獲得基礎玻璃樣品核化溫度300-380℃,晶粒生長溫度320-420℃的步驟;最后核化、晶化獲得半導體納米晶復合硫系玻璃陶瓷材料,優點是該材料具有明顯增強的硬度、斷裂韌性等機械性能并具有二階非線性光學性能,其制備過程中能夠根據需要設計和選擇合適的玻璃組成,控制析出不具有反演對稱中心的晶相。
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