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    INALN緩沖層生長ALN和ALGAN的方法

    1054   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:14:37
    本發明公開了一種INALN緩沖層生長ALN和ALGAN的方法,其采用金屬有機化學氣相沉積外延生長系統在襯底上生長高質量ALN和ALGAN,該方法采用下述工藝步驟:(1)在襯底上直接生長INALN緩沖層或者生長完ALN或ALGAN形核層后再生長INALN緩沖層;(2)在INALN緩沖層上生長高質量的ALN或ALGAN結晶層;(3)進行器件結構的多層生長。利用本方法生長ALN或ALGAN晶體時,能降低材料的位錯密度,改善界面平整度,提高材料的質量;同時增大生長窗口,使材料生長更容易,進而改善日盲型的紫外探測器件的性能,大大提高我國探測器件的武器裝備水平。而且探測器件也是民用火災監測系統的主要部件。
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