本發明公開了一種半導體光刻方法,包括先在半導體硅上生成氮化硅,之后在氮化硅上面涂光刻膠并進行光刻得到溝道,然后去除光刻膠,再在器件表面鍍上二氧化硅,在二氧化硅上特定的區域中填充許多規則排列的點狀輔助標記,之后根據所述輔助標記的位置用刻蝕和化學機械拋光的工藝去除氮化硅層、二氧化硅層和上面的輔助標記,最后在溝道間涂布光刻膠并進行后續工藝。本發明通過添加輔助標記的方式,大大降低了CMP工藝對套刻測量的影響,保證了套刻測量的準確性,從而提高了芯片的成品率。
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