本發明公開了一種精確控制線寬的淺槽隔離工藝,該方法包括如下步驟:第1步,在硅片表面涂光刻膠,曝光顯影后露出刻蝕窗口;第2步,測量刻蝕窗口之間的線寬;第3步,在刻蝕窗口刻蝕氮化硅、氧化硅和部分硅;第4步,干法等離子體去除光刻膠;第5步,濕法化學剝離光刻膠;第6步,測量淺槽隔離結構之間的線寬;本發明的創新之處在于,在第3步和第4步之間增加一步:采用各向同性刻蝕工藝在刻蝕窗口刻蝕氮化硅、氧化硅和部分硅。本發明可以精確控制淺槽隔離工藝的特征尺寸,減少對光刻CD的精度要求,消除光刻返工,從而降低生產成本。
聲明:
“精確控制線寬的淺槽隔離工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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