一種黑硅材料表面金屬電極的制備方法,屬于半導體光電子材料與器件技術領域。該方法包括:步驟1:化學鍍前預處理;步驟2:用化學鍍工藝在黑硅材料表面沉積一層過渡層;步驟3:干燥;步驟4:用蒸發或濺射工藝在過渡層上沉積金屬電極層;步驟5:退火;步驟6:光刻形成電極形狀。本發明利用化學鍍的自催化鍍膜原理,在金屬電極與黑硅表面增加了一層化學鍍層作為過渡層,能夠提高金屬電極與黑硅材料表面的結合力,降低接觸電阻;本發明用于基于黑硅材料的硅光電探測器或太陽能電池,能有效提高器件效率及響應速度且制備工藝簡單、成本較低。
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