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    摻金硅互換熱敏電阻

    1111   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:17:29
    本發明屬于半導體溫度傳感器領域。本發明采用氯化金涂層擴散,當金和本底凈雜 質濃度之比為1~1.5時,形成穩定性好,B值為 4000K~6000K,其均勻度優于0.1%的摻金硅熱敏 材料。利用該材料的雙面高阻層做成串聯式熱敏電 阻,經機械調值后,元件在-30~+50℃溫區阻值互 換精度為0.2%,高溫(85℃)存放一年的穩定性優于 0.3%。本發明可廣泛地應用于工業、農業,尤其是醫 學、生物工程、化學等多方面的溫度測量與控制。
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