本發明公開了一種特殊結構的硅片,除具有硅基板外,還具有氧化膜和氮化硅兩層膜結構,其中OX膜結構置于硅基板和氮化硅之間。該硅片可應用于半導體制造監控工藝中作為擋控片,即用作填充片和制程監控的硅片。本發明還提出了所涉及硅片的制備方法,即在硅基板上首先采用爐管或者化學氣相沉積法生長OX膜結構,膜厚控制在50埃到500埃之間;然后在所述OX膜結構上采用爐管或者化學氣相沉積法生長氮化硅膜結構,膜厚控制在500埃到3000埃。本發明中硅片不易受到環境的影響而產生很多污染及干擾,可以延長擋控片的使用壽命并保證顆粒測量的精確度,并最終提高半導體制造監控工藝的準確性,降低生產成本。
聲明:
“特殊結構的硅片、其用途和制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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