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    LED芯片Sputter?ITO腐蝕工藝

    1208   編輯：管理員   來源：中冶有色網  
    2023-03-19 08:23:03
    本發明提供一種LED芯片Sputter?ITO腐蝕工藝，包括以下步驟：(1)選取外延片，清洗后進行P?SiO2層的沉積，再進行黃光P?SiO2制程，光刻出所需圖形；(2)通過浸泡BOE溶液化學濕法腐蝕SiO2，去除光刻膠，再進行酸洗、甩干；(3)進行Sputter?ITO濺鍍，然后進行黃光光刻所需圖形；(4)化學濕法蝕刻后，清洗完成后甩干，進行ICP刻蝕，去除光刻膠后清洗、甩干；(5)再進行RTA高溫退火熔合；(6)然后進行鈍化SiO2層的沉積、PN黃光光刻，金屬蒸鍍后去除光刻膠，再金屬熔合，最后完成點測。本發明將取消Sputter?ITO過腐蝕，在ITO膜濺鍍完成后先經過黃光光刻，再固定ITO的腐蝕時間，這樣就避免了由于ITO膜過腐蝕所造成的腐蝕過現象。
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    聲明：
    “LED芯片Sputter?ITO腐蝕工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
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