本發明屬于去耦設計方法技術領域,具體涉及一種石墨烯吸波超表面去耦設計方法,包括下列步驟:基于阻抗匹配理論,建立組合結構吸波材料的物理模型;計算吸波層的方阻值;利用CST軟件實現吸波材料幾何結構建模;獲得吸波特性仿真參數;利用化學氣相沉積CVD法制備石墨烯,利用激光刻蝕技術制備超表面吸波材料樣品;測試吸波特性和芯片間隔離度。本發明基于阻抗匹配特性,研究不同電導率石墨烯薄膜電磁損耗特性,提高電磁波吸收率,采用十字型和四凹字組合結構,利用仿真軟件實現超表面單元優化設計,實現雙頻諧振;利用陶瓷制備化學性能穩定的超薄介質層。
聲明:
“石墨烯吸波超表面去耦設計方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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