本發明涉及一種黃曲霉毒素B1金納米井陣列免疫電極的制備方法,其采用化學沉積法在??字睆綖?00?800nm的聚碳酸酯濾膜上沉積金,得到金納米管陣列主體,在??字睆綖?0?200nm的聚碳酸酯濾膜上沉積金,得到金納米柱陣列底片,組裝制成金納米井陣列電極;在金納米管陣列電極表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金納米井陣列電極;而后放入無標記AFB1抗體溶液中,制成AFB1抗體/蛋白A/金納米井陣列電極;進而封閉得到AFB1免疫反應電極。本發明制作簡單,具有三維結構,表面積大,有效避免不同材質導致的電化學響應信號的干擾;抗體固定牢固有效,性能穩定可靠,可實現AFB1的靈敏快速測定。
聲明:
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