本發明公開了一種單寧酸?鈷絡合物修飾的NixP/CuO/NiO光電陰極及制備方法,屬于材料科學技術和化學領域。本發明所述的制備單寧酸?鈷絡合物修飾的NixP/CuO/NiO光電陰極的方法包括如下步驟:通過水熱合成法將NiO薄膜沉積到FTO導電玻璃上、通過空氣熱氧化法制備CuO/NiO電極、采用光化學方法制備NixP/CuO/NiO電極、將NixP/CuO/NiO電極浸入CoCl2溶液10?20min后取出,洗滌;再浸入單寧酸溶液中,調節pH為9?10,反應0.5?1.5h;反應結束后洗滌、干燥,得到單寧酸?鈷絡合物修飾的NixP/CuO/NiO光電陰極。本發明所述的單寧酸?鈷絡合物修飾的NixP/CuO/NiO光電陰極的產氫效率高,可以達到1.77μmol/h以上;穩定性良好,在測試長達8000s時,該電極的光電流密度僅比初始值略有下降。
聲明:
“單寧酸-鈷絡合物修飾的NixP/CuO/NiO光電陰極及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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