本發明涉及一種Cr2O3晶體的制備方法,包括如下步驟:以鉻前體材料為反應源,以鹵素為輔助材料,將襯底置于生長區;以及在常壓和保護氣體氛圍下,以氫氣和所述保護氣體的混合氣體作為工作氣體,加熱襯底和所述反應源,在所述襯底上化學氣相沉積形成Cr2O3晶體。經過測試驗證,上述Cr2O3晶體的制備方法通過鹵素(碘)輔助控制化學氣相沉積方法,制得的Cr2O3晶體的橫向尺寸達到微米級(3μm~5μm)。
聲明:
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