本發明屬于化合物半導體晶片拋光技術領域,具體涉及一種用于分子束外延InAs襯底的表面處理方法。該方法包括化學機械拋光和表面硫化鈍化處理,其中,化學機械拋光采用包含膠體二氧化硅、弱堿性氧化劑、有機鈉鹽、pH調節劑和水的堿性拋光液。本發明較好地解決了InAs襯底這種較軟的化合物襯底拋光時易產生的劃痕、顆粒污染及在外延生長時表面難脫氧等問題,采用該方法處理的InAs襯底可穩定生長出高質量的超晶格紅外探測器外延片。
聲明:
“用于分子束外延InAs襯底的表面處理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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