本發明公開了一種改善單拋機拋后硅片塌邊的拋光工藝,其實驗工藝包括以下步驟:S1、首先將拋光液、清洗劑、活性劑、氫氧化鉀溶液按照組分的重量份比稱取各相應比例的組分,并放置到相應的儲存器皿內部進行備用,使用單拋機系列,并在拋光前檢查設備狀態,保證無異常后進行工藝調節,可根據不同的來料類型,設定不同的加工工藝,運用兩到不同拋頭進行加工,S2、然后通過將第一個拋頭設定為粗拋,粗拋墊型號、拋光液型號根據產品的加工要求可自行選擇,粗拋墊隨著加工壽命的減少,在拋頭壓力的作用下,中心部位的磨損程度會大于邊緣部位,在粗拋工藝中加入一定配比的氫氧化鉀溶液,可以加快化學反應速率。
聲明:
“改善單拋機拋后硅片塌邊的拋光工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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