碳源可控單壁碳納米管陣列的制備裝置,該裝置包括:氣體管路控制部分,高溫管式實驗主體,尾氣吸收處理裝置。氣體管路控制部分包括氣體流量計、開關閥、液體容器、導氣管;高溫管式實驗主體主要包括法蘭、高溫管式爐、石英管、基片。氣體管路控制部分的導氣管最終指向石英管。石英管兩端塞緊法蘭,法蘭上留有導氣管連通孔。石英管外壁設有高溫管式爐,石英管內部中間處放有基片,石英管另一端通過導氣管連接尾氣處理裝置。本裝置具有的優點是改進傳統的化學氣相沉積方法(CVD),實現碳源可控,減少更換碳源裝置的繁瑣,以及改裝碳源裝置后續繁瑣的檢查氣密性工作,節約時間,提高效率和準確性。
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