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    具有擇優取向的Ga2O3和SnO2混相膜的制備方法

    1047   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:56:35
    一種具有擇優取向的Ga2O3和SnO2混相膜的制備方法是將Ga2O3粉末和SnO2粉末與碳粉末按比例混合并研磨,獲得固體混合粉末,并以此為反應源,將基片和反應源置于高溫管式爐中,利用化學氣相沉積法,通過熱碳還原Ga2O3和SnO2提供Ga源和Sn源,以氧氣為氧源,惰性氣體為載氣,在一定的反應源溫度、基片溫度、生長壓力、沉積時間、載氣和氧氣比例下,在基片上獲得具有擇優取向的Ga2O3和SnO2混相膜,本方法實現了Ga2O3和SnO2均具有單一的擇優取向,而且工藝簡單,設備低廉,在紫外探測、透明導電氧化物、高功率器件、發光二極管、紫外探測、薄膜晶體管、氣體傳感器和磁性半導體等領域具有潛在的應用。
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