本發明公開了高硼組分二維III族多元氮化物混合晶體及其制備方法。該方法為低壓化學氣相沉積方法,設置級聯式遞進三溫區結構,并于中段梯度溫區進行加速混晶分子的氣相預替位,實現高效可控二維混晶。本發明制備的高硼組分二維III族多元氮化物混合晶體表面平整性好,用于器件結構中的層間匹配度高,混合晶體中的硼組分高;可作為優良襯底用于制備高質量InAlGaN等多元氮化物半導體,制備性能優良的中子探測器、深紫外LED、深紫外探測器;可廣泛應用于紫外固化光源、紫外光通信、紫外空氣凈化、紫外醫療、紫外水凈化、紫外光解油煙等領域。
聲明:
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