本發明涉及一種表面光伏性能良好的半導體量子點/石墨烯范德瓦爾斯結薄膜柔性器件的構筑方法,通過柔性襯底機械剝離化學氣相沉積法制備的單層石墨烯的方法,并在石墨烯上修飾半導體量子點,控制器件退火溫度和時間,優化半導體量子點與石墨烯之間的范德瓦爾斯接觸,成功構筑了表面光伏響應性能理想的半導體量子點/石墨烯范德瓦爾斯結薄膜柔性表面光伏器件,可用于相對位置探測或光電探測。
聲明:
“表面光伏性能良好的半導體量子點/石墨烯范德瓦爾斯結薄膜柔性器件的構筑方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)