一種提高光刻技術分辨率的方法,利用光學原理和光敏材料的光化學反應理論,根據對特殊設計的掩模版測試圖形實際曝光結果的測量和模擬計算得到光刻膠的閾值能量以及光酸生成劑的擴散長度,隨后依據此數據進行1~3次曝光、1~2次顯影。本發明提高了對光酸擴散長度的控制,并通過顯影工藝防止了由于光酸的不良分布導致的空間圖像本底提升的問題,從而得到更高的空間對比度,進一步提高光刻技術的分辨率。
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