本發明公開了一種高度取向的ZnO納米錐陣列的濕化學生長方法,采用旋涂鍍膜法將ZnO溶膠涂敷在基底上,經熱處理制備一層均勻的納米級ZnO晶種層;用KOH和Zn(NO3)2配制ZnO陣列生長液;將基底生長面(即含有晶種層的面)懸空倒扣浸沒于上述生長液中,在20~50℃水浴條件下,反應1~12h,在所述的基底上制備ZnO納米錐陣列。該方法具有設備及工藝簡單、易操作、成本低和適合工業化生產等優點。本發明制備出的ZnO納米錐陣列具有高度致密、粗細均勻、取向性好、平整度高、性能穩定、與基底結合牢固等特點,在超疏水表面、探測器、壓電變頻器、紫外激光和太陽能電池等方面有廣闊的應用前景和巨大的市場效益。
聲明:
“高度取向ZnO納米錐陣列結構材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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