本發明涉及一種非倒裝鍵合體式硫系鉛焦平面陣列器及其制備方法與應用,屬于光電傳感器制備工藝技術領域。本發明設計的制備方法解決了倒裝鍵合工藝復雜,成品率低,成本高的問題,采用硫系鉛薄膜具備的大面積均勻性和易與硅襯底集成的特性,直接在硅襯底上沉積生長制備焦平面陣列,同時在化學水浴沉積過程中,采用豎直布置襯底的方式,可一次性生成多個基片,有利于保證產品質量穩定性。故本發明設計的陣列器件質量穩定,探測率、響應率也表現良好。
聲明:
“非倒裝鍵合體式硫系鉛焦平面陣列器及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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