本發明公開了一種雙層PNZST鈣鈦礦反鐵電薄膜及其制備方法,該反鐵電薄膜包括化學通式為Pb0.99Nb0.02(Zr0.55Sn0.40Ti0.05)0.98O3(簡寫為PNZST)的材料;本發明設計了一種合適的射頻磁控濺射方法來提高薄膜的儲能性能,在該方法中對同一種PNZST材料采用不同射頻磁控濺射工藝以分段式以及分層式的方式原位制備雙層薄膜,測試結果表明通過合適的濺射工藝所制備的鈣鈦礦PNZST反鐵電雙層異質結構薄膜,與其他單層反鐵電PNZST薄膜相比,此種工藝下所制備的雙層PNZST薄膜具有更高的介電常數以及擊穿場強,這有利于獲得較高的儲能密度以及較高的儲能效率;雙層反鐵電PNZST薄膜其儲能密度值高達39.35J/cm3,該值為單層反鐵電PNZST薄膜儲能密度值的1.43倍。
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