本發明公開了一種厚絕緣膜的工藝實現方法,包括步驟:(1)在需要長絕緣介質膜的地方,先刻蝕槽;(2)在槽內,根據不同的槽寬,進行爐管氧化;(3)氧化后,成長填孔性較好的絕緣膜;(4)化學機械研磨,把表面的凸起磨平;(5)再把有源區的絕緣膜刻蝕掉,只留下厚的場氧絕緣膜。本發明通過改變刻蝕槽的形貌后,元包之間的二氧化硅絕緣膜在爐管里成長后,改變了應力的方向,測量后曲率半徑和進爐管長膜前的曲率半徑基本一致,解決了元包之間厚度大于2微米絕緣層的可行辦法。
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