本發明公開了一種二元半導體復合光電極及其制備方法與應用。本發明方法復合光電極的有效物質的化學式為TiO2/ZnS;在制備方法上主要為以下步驟:首先采用水熱法在FTO制備TiO2納米棒得到樣品基片一,然后采用連續離子層吸附法將樣品基片一依次在Zn(NO3)2溶液、去離子水、Na2S溶液、去離子水中循環吸附制備ZnS得到樣品基片二。本發明TiO2/ZnS復合光電極將光催化反應從紫外光區拓展至可見光區,提高了太陽能的利用效率;其光電流強度與單一TiO2樣品相比具有顯著地提高,在I?T測試中表明復合光電極有較好的穩定性,其電子空穴轉移率增加,使得光電性能增強。
聲明:
“二元半導體復合光電極及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)