描述了抑制膠體二氧化硅沉積物在磷酸中處理的表面上生長的技術。在一個實施方案中,所公開的技術包括使用膠體二氧化硅生長抑制劑作為用于氮化硅蝕刻的磷酸溶液中的添加劑。在一些實施方案中,所述添加劑可以具有可以含有強陰離子基團的化學品。提供了這樣的方法和裝置:其監測在處理期間磷酸溶液中的二氧化硅濃度和/或膠體二氧化硅生長抑制劑濃度,并根據需要調節這些組分的量。提供了用于控制磷酸溶液中待使用的添加劑濃度以及二氧化硅濃度的方法和裝置的技術。本文所述的技術提供了相對于二氧化硅的高選擇性氮化硅蝕刻,而不使膠體二氧化硅沉積物在暴露的表面上生長。
聲明:
“膠體二氧化硅生長抑制劑以及相關的方法和系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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