本發明公開了一種多孔硅基二氧化碲納米棒復合結構氣敏傳感器元件的制備方法,采用雙槽電化學腐蝕法在p型單面拋光的單晶硅片的拋光表面制備多孔硅層,再利用蒸發法在多孔硅上原位生長二氧化碲納米棒,制得復合結構的多孔硅基二氧化碲納米棒,再于超高真空對靶磁控濺射設備的真空室,利用磁控濺射法在其表面沉積形成兩個鉑點電極。提供了一種制備過程簡單,易于控制、實現室溫下對氮氧化物氣體探測,具有高靈敏度等優異氣敏特性的新型多孔硅基二氧化碲納米棒復合結構的氣敏傳感器元件。
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