一種高結晶GaN薄膜的制備方法涉及寬帶隙半導體領域,采用一種簡單、綠色、低成本的化學氣相沉積法在襯底上生長獲得了高質量的GaN薄膜。以N2氣為氮源,通過等離子發生裝置形成N等離子,采用固體鎵源,在800?1000℃下,N2氣流量為10?300sccm,射頻功率為50?300W,調控N等離子體密度,反應0.5?10h,獲得了高結晶質量的GaN薄膜。本專利解決了現在GaN制備過程中出現的高成本、復雜工藝和危險且有毒環境的問題,為發光二極管、激光發射器、紫外光探測器、高電子遷移率晶體管的制備提供一種可行性的方法。
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