本發明公開了一種在一些介電或半導體基材上直接制備高品質三維石墨烯的方法。該方法不需要外加催化劑,且同時兼具制備時間短、成本低廉等特點。在生產中可以通過使用不同類型的設備實現該方法,如等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)等。將由該方法制得的三維石墨烯具有較高品質,且因其具有超大表面積,可作為超級電容器或電容性分子探測器的理想材料。
聲明:
“三維石墨烯之直接制備方法及其在超級電容器上之應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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