本發明公開了一種超高密度單壁碳納米管水平陣列及其制備方法。該方法,包括如下步驟:在單晶生長基底上加載催化劑,退火后,在化學氣相沉積系統中通入氫氣進行所述催化劑的還原反應,并保持氫氣的通入進行單壁碳納米管的定向生長即得。該方法制備得到超高密度單壁碳納米管水平陣列的密度超過130根/微米,這是目前世界上已報道直接生長密度最高的單壁碳納米管水平陣列。對本發明制備的超高密度單壁碳納米管水平陣列進行電學性能測試,其開電流密度達到380μA/μm,跨導達到102.5μS/μm,均是目前世界上碳納米管場效應晶體管中的最高水平。
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