本發明公開了一種高質量晶圓級硒氧化鉍半導體單晶薄膜的批量化制備方法。該方法包括:以含有Bi元素和Se元素的化合物為原料,以單晶晶圓為生長基底,進行化學氣相沉積,得到所述Bi2O2Se薄膜。本發明利用外延面對稱性一致的共格外延方式生長取向一致的單晶Bi2O2Se,通過延長生長時間,制備得到了由取向一致的單晶Bi2O2Se晶粒拼接而成的連續單晶薄膜。該方法工藝流程簡單,操作容易,成本低,薄膜尺寸大,并可有望應用于晶圓級Bi2O2Se單晶薄膜的批量化生產;為Bi2O2Se半導體薄膜在光電探測器或場效應晶體管等領域的應用奠定了基礎。
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