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    低膨脹磁屏蔽合金及其制備方法

    1218   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:56:59
    本發明屬于精密合金領域,特別涉及一種用于光纖環圈骨架的低膨脹磁屏蔽合金及其制備方法。該合金的化學成分按重量%為:Ni32.0~35.2,Co3.0~3.5,Mn0.10~0.25,Si≤0.15,Cu≤0.02,C≤0.01,P≤0.01,S≤0.01,余量為Fe;該低膨脹磁屏蔽合金通過如下步驟制備:高純度原料準備→成分配比→真空感應爐冶煉和真空自耗重熔→鍛造加工→取樣→熱處理→性能測試。熱處理制度為:高純氫氣保護,隨爐升溫至970±10℃,保溫2.5~3h,以200~250℃/h降溫至550±10℃,快冷至300℃以下出爐。本發明與現有的低膨脹合金4J32相比,在保持低膨脹特性的前提下,具有較高的初始磁導率,使合金兼具低膨脹性能和磁屏蔽性能兩大優點。即:在-45~+75℃溫度范圍內,合金的膨脹系數在1.0×10-6/℃以下;初始磁導率高于1.5mH/m。
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