本發明公開了銪摻雜硅酸釓晶體的用途及其制備方法,銪摻雜硅酸釓晶體用作熱釋光晶體,其化學表達式為Gd2?xSiO5:xEu,式中x=0.03~0.07;該晶體有低溫、高溫熱釋峰;低溫熱釋峰位于143℃,波長為585nm,陷阱深度為1.16eV,頻率因子為2.76×109s?;高溫熱釋釋峰位于352℃,發射波長978nm,陷阱深度為1.61eV,頻率因子為3.84×1012s?1。銪摻雜硅酸釓熱釋光晶體采用光學浮區法制備,包括粉體制備、料棒制備、晶體生長、退火處理四個步驟,其中晶體生長時提拉速度可以達到15mm/h、生長方向為[212]。本發明銪摻雜硅酸釓熱釋光晶體具有良好的熱釋性能,對γ射線具有良好輻射劑量熱釋光線性相應;可用于文物斷代和輻射劑量探測;制備工藝的過程簡單、速度快。
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