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    用硅濕法刻蝕和鍵合工藝制備相變存儲器的方法

    750   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:57:00
    本發明涉及一種用低溫鍵合和硅濕法刻蝕工藝 制作相變隨機存儲器,其工藝步驟為:(1)清洗氧化硅片,依次 沉積30nm Ti或TiN,100nm的Pt或Au。(2)將(100)硅片清洗 干凈,然后再與步驟(1)中的Pt或Au鍵合,再將鍵合之后的(100) 硅片進行減薄和拋光。(3)在硅片上熱氧化出 SiO2,在 SiO2上光刻成圖形然后刻蝕掉 圖形下SiO2。(4)用刻蝕液對(100) 硅片刻蝕,形成V型結構。(5)對形成的V型干氧氧化。(6)沉 積相變材料,用化學機械拋光去除V型結構以外的相變材料。 (7)再次光刻,沉積頂電極。在微米級的加工工藝條件下,實現 了納米相變存儲器的單元器件。測試結果表明,單元器件的閾 值電壓電流都達到了實現可逆相變的目的。
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