本發明公開了一種六方相硒化銦晶體及其在二階非線性光學上的應用,化學式為In2Se3,分子量為466.52,其單晶屬于六方晶系,空間群為P65,晶胞參數為:a=b=7.1231(3)?,c=19.393(2)?,α=β=90°,γ=120°,V=852.12(10)?3,Z=6。通過高溫固相法獲得In2Se3晶體,硒化銦晶體展現出了優異的非線性光學性能,In2Se3晶體粉末呈現較大的倍頻效應,約為AgGaS2的1.5倍,且在2100?nm激光下可實現相位匹配;其抗激光損傷閾值為AgGaS2的7.3倍,可應用在中遠紅外波段的探測器和激光器的重要器件。
聲明:
“六方相硒化銦晶體及其在二階非線性光學上的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)